PDTC114ES,126

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

PDTC114ES,126 datasheet

• Маркировка
  PDTC114ES,126
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PDTC114ES,126 Current - Collector (ic) (max): 100mA Current - Collector Cutoff (max): 1?µA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Power - Max: 500mW Resistor - Base (r1) (ohms): 10K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 10K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500?µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 50V Other Names: 934047440126, PDTC114ES AMO
• Количество страниц
  14 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PDTC114ES,126.pdf
Файл формата Pdf 93,77 KB